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MMDT5451-7-F中文资料

MMDT5451-7-F图片

MMDT5451-7-F外观图

  • 大小:89.8KB
  • 厂家:DIODES
  • 描述:Diodes Incorporated [COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR]
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN,PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):160V,150V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 10mA,5V / 60 @ 10mA,5V
  • 功率 - 最大:200mW
  • 频率 - 转换:300MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装:SOT-363
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:MMDT5451-FDITR

MMDT5451-7-F供应商

更新时间:2023-01-02 01:03:18
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